氯化铯晶体及制备千亿国际方法和应用[发明专利]

　　和应 用 ，该 制备方法包括以 下步骤 ：配置含有一 定质量浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液；使用波 长为532～1064nm、脉冲宽度为5～6ns、能量为15 ～100mJ的单个脉冲激光照射过饱和氯化铯溶液 即生成氯化铯晶 体 ；其中 ，添 加剂为聚 环氧琥 珀 酸或聚天冬氨酸。本发明的氯化铯晶体的制备方 法 ，首先 利 用激光诱导出溶液中晶 核 ，因为激光 对晶体成核有着时空的协调作用，接着晶体的生 长会受到溶液中聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸的 影响形成可控性的晶型以及大小；通过该方法实 现了结晶从晶体成核到晶体生长整个过程的控 制；而且聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸这两种添加 剂均为绿色环保无毒的酸性聚合物，安全环保。

　　(71)申请人 江西理工大学 地址 341000 江西省赣州市章贡区红旗大 道86号

　　技术领域 [0001] 本发明涉及晶体材料技术领域，尤其涉及一种氯化铯晶体及其制备方法和应用。

　　背景技术 [0002] 目前利用激光为非光化学激光诱导结晶技术(简称NPLIN) ，采用红外纳秒激光或 可见激光来照射过饱和溶液或熔盐来诱导晶体的成核与生长 ，利用这可以 用来制备晶体。 非光化学激光诱导结晶技术(简称NPLIN)的优点是不涉及光化学反应以及不影响晶体内部 的分子结构。它的 优点是可以 控制晶 体成核的 位置以 及结晶发生的时间 ，还能有效的 提高 晶体的纯度。通过该技术已成功将磺胺噻唑和卡马西平等药物进行了合成。 [0003] 虽然，非光化学激光诱导结晶技术，激光的能量的大小可以控制晶体的数量，然而 在后续晶体生长中激光很难对晶体大小以及生长速度进行控制，尤其是在制备氯化铯晶体 过程中 ，采 用非光化学激光诱导结晶技术 ，还无法对晶 体晶型、大小、生长速度进行很好的 控制。 [0004] 基于，目前技术存在的缺陷，有必要提供一种可控制氯化铯晶体生长过程的氯化 铯晶体制备方法。

　　发明内容 [0005] 有鉴于此，本发明提出了一种氯化铯晶体及其制备方法和应用，以解决现有技术 存在的技术缺陷。 [0006] 第一方面，本发明提供了一种氯化铯晶体的制备方法，包括以下步骤： [0007] 配置含有一定质量浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液； [0008] 使用波长为532～1064nm、脉冲宽度为5～6ns、能量为15～100mJ的单个脉冲激光 照射过饱和氯化铯溶液即生成氯化铯晶体； [0009] 其中，所述添加剂为聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸。 [0010] 可选的，所述的氯化铯晶体的制备方法，所述过饱和氯化铯溶液的饱和度为1 .1～ 1 .2。 [0011] 可选的，所述的氯化铯晶体的制备方法，所述过饱和氯化铯溶液中添加剂的质量 浓度为0 .2～8％。 [0012] 可选的，所述的氯化铯晶体的制备方法，配置含有一定质量浓度添加剂的过饱和 氯化铯溶液具体包括： [0013] 先配置过饱和氯化铯溶液； [0014] 然后加入添加剂，再将过饱和氯化铯溶液置于温度为80～90℃的干燥箱中干燥， 使溶液完全溶解，然后将过饱和氯化铯溶液置于20～25℃的环境下冷却即得含有一定质量 浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液。 [0015] 可选的，所述的氯化铯晶体的制备方法，所述过饱和氯化铯溶液的饱和度为1 .15。 [0016] 可选的，所述的氯化铯晶体的制备方法，使用波长为532nm、脉冲宽度为5～6ns、能

　　1 .一种氯化铯晶体的制备方法千亿国际，其特征在于，包括以下步骤： 配置含有一定质量浓度添加剂的过饱和氯化铯溶液； 使用波长为532～1064nm、脉冲宽度为5～6ns、能量为15～100mJ的单个脉冲激光照射 过饱和氯化铯溶液即生成氯化铯晶体； 其中，所述添加剂为聚环氧琥珀酸或聚天冬氨酸。 2 .如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，所述过饱和氯化铯溶液的 饱和度为1 .1～1 .2。 3 .如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，所述过饱和氯化铯溶液中 添加剂的质量浓度为0 .2～8％。 4 .如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，配置含有一定质量浓度添 加剂的过饱和氯化铯溶液具体包括： 先配置过饱和氯化铯溶液； 然后加入添 加剂 ，再将过饱 和氯化铯溶液置于温 度为80～90℃的 干燥箱中 干燥 ，使溶 液完全溶解，然后将过饱和氯化铯溶液置于20～25℃的环境下冷却即得含有一定质量浓度 添加剂的过饱和氯化铯溶液。 5 .如权利要求2所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，所述过饱和氯化铯溶液的 饱和度为1 .15。 6 .如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，使用波长为532nm、脉冲宽 度为5～6ns、能量为40mJ的单个脉冲激光照射过饱和氯化铯溶液2～60s即生成氯化铯晶 体。 7 .如权利要求1所述的氯化铯晶体的制备方法，其特征在于，所述激光为红外纳秒激光 或可见激光。 8 .一种氯化铯晶体，其特征在于，采用如权利要求1～7任一所述的制备方法制备得到。 9 .如权利要求8所述的氯化铯晶体在密度梯度离心介质中的应用。